Алферов жорес иванович семья. Биография
В марте этого года академику Жоресу Ивановичу Алфёрову, нобелевскому лауреату и члену редколлегии журнала «Экология и жизнь», исполнилось 80 лет. А в апреле пришло известие о том, что Жореса Ивановича назначают научным руководителем инновационного проекта «Сколково». Этот важный проект должен, по сути, создать прорыв в будущее, вдохнув новую жизнь в отечественную электронику, у истоков развития которой и стоял Ж. И. Алфёров.
В пользу того, что прорыв возможен, говорит история: когда в 1957 г. в СССР был запущен первый спутник, США оказались в положении аутсайдера. Однако американское правительство проявило бойцовский характер, были брошены такие ассигнования в технологию, что число исследователей быстро достигло миллиона! Буквально на следующий год (1958) один из них, Джон Килби, изобрел интегральную схему, заменившую печатную плату в обычных ЭВМ - и родилась микроэлектроника современных компьютеров. Эта история впоследствии получила название «эффект спутника».
Жорес Иванович очень внимательно относится к воспитанию будущих исследователей, недаром он основал НОЦ - учебный центр, где подготовка ведется со школьной скамьи. Поздравляя Жореса Ивановича с юбилеем, заглянем в прошлое и будущее электроники, где эффект спутника должен не раз проявиться вновь. Хочется надеяться, что и в будущем нашей страны, как когда-то в США, будет накоплена «критическая масса» подготовленных исследователей - для возникновения эффекта спутника.
«Технический» свет
Первым шагом к созданию микроэлектроники был транзистор. Пионерами транзисторной эры стали Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн, которые в 1947 г. в «Bell Labs » впервые создали действующий биполярный транзистор. А второй компонентой полупроводниковой электроники стал прибор для прямого преобразования электричества в свет - это полупроводниковый оптоэлектронный преобразователь, к созданию которого Ж. И. Алфёров имел непосредственное отношение.
Задача прямого преобразования электричества в «технический» свет - когерентное квантовое излучение - оформилась как направление квантовой электроники, родившейся в 1953–1955 гг. По сути, ученые поставили и решили задачу получения совершенного нового вида света, которого раньше не было в природе. Это не тот свет, который льется непрерывным потоком при прохождении тока по вольфрамовой нити или приходит в течение дня от Солнца и состоит из случайной смеси волн разной длины, не согласованных по фазе. Другими словами, был создан свет строго «дозированный», полученный как набор из определенного числа квантов с заданной длиной волны и строго «построенный» - когерентный, т. е. упорядоченный, что означает одновременность (синфазость) излучения квантов.
Приоритет США по транзистору был определен огромной ношей Отечественной войны, навалившейся на нашу страну. На этой войне погиб старший брат Жореса Ивановича, Маркс Иванович.
Маркс Алфёров окончил школу 21 июня 1941 г. в Сясьстрое. Поступил в Уральский индустриальный институт на энергетический факультет, но проучился лишь несколько недель, а потом решил, что его долг - защищать Родину. Сталинград, Харьков, Курская дуга, тяжелое ранение в голову. В октябре 1943 г. он провел три дня с семьей в Свердловске, когда после госпиталя возвращался на фронт.
Три дня, проведенные с братом, его фронтовые рассказы и страстную юношескую веру в силу науки и инженерной мысли 13-летний Жорес запомнил на всю жизнь. Гвардии младший лейтенант Маркс Иванович Алфёров погиб в бою во «втором Сталинграде» - так называли тогда Корсунь-Шевченковскую операцию.
В 1956 г. Жорес Алфёров приехал на Украину, чтобы найти могилу брата. В Киеве, на улице, он неожиданно встретил своего сослуживца Б. П. Захарченю, ставшего впоследствии одним из ближайших его друзей. Договорились поехать вместе. Купили билеты на пароход и уже на следующий день плыли вниз по Днепру к Каневу в двухместной каюте. Нашли деревню Хильки, около которой советские солдаты, в числе которых был и Маркс Алфёров, отражали яростную попытку отборных немецких дивизий выйти из корсунь-шевченковского «котла». Нашли братскую могилу с белым гипсовым солдатом на постаменте, высящемся над буйно разросшейся травой, в которую были вкраплены простые цветы, какие обычно сажают на русских могилах: ноготки, анютины глазки, незабудки.
К 1956 г. Жорес Алфёров уже работал в Ленинградском физико-техническом институте, куда он мечтал попасть еще во время учебы. Большую роль в этом сыграла книга «Основные представления современной физики», написанная Абрамом Федоровичем Иоффе - патриархом отечественной физики, из школы которого вышли практически все физики, составившие впоследствии гордость отечественной физической школы: П. Л. Капица, Л. Д. Ландау, И. В. Курчатов, А. П. Александров, Ю. Б. Харитон и многие другие. Жорес Иванович много позже писал, что его счастливая жизнь в науке была предопределена его распределением в Физтех, впоследствии получивший имя Иоффе.
Систематические исследования полупроводников в Физико-техническом институте были начаты еще в 30-е годы прошлого века. В 1932 г. В. П. Жузе и Б. В. Курчатов исследовали собственную и примесную проводимость полупроводников. В том же году А. Ф. Иоффе и Я. И. Френкель создали теорию выпрямления тока на контакте металл-полупроводник, основанную на явлении туннелирования. В 1931 и 1936 г. Я. И. Френкель опубликовал свои знаменитые работы, в которых предсказал существование экситонов в полупроводниках, введя этот термин и разработав теорию экситонов. Теория выпрямляющего р–n-перехода, легшая в основу р–n-перехода В. Шокли, создавшего первый транзистор, была опубликована Б. И. Давыдовым, сотрудником Физтеха, в 1939 г. Нина Горюнова, аспирантка Иоффе, защитившая в 1950 г. диссертацию по интерметаллическим соединениям, открыла полупроводниковые свойства соединений 3-й и 5-й групп периодической системы (далее А 3 В 5). Именно она создала фундамент, на котором начались исследования гетероструктур этих элементов. (На Западе отцом полупроводников А 3 В 5 считается Г. Велькер.)
Самому Алфёрову поработать под руководством Иоффе не довелось - в декабре 1950 г., во время кампании по «борьбе с космополитизмом», Иоффе был снят с поста директора и выведен из состава Ученого совета института. В 1952 г. он возглавил лабораторию полупроводников, на базе которой в 1954 г. был организован Институт полупроводников АН СССР.
Заявку на изобретение полупроводникового лазера Алфёров подал совместно с теоретиком Р. И. Казариновым в разгар поисков полупроводникового лазера. Эти поиски шли с 1961 г., когда Н. Г. Басов, О. Н. Крохин и Ю. М. Попов сформулировали теоретические предпосылки его создания. В июле 1962 г. американцы определились с полупроводником для генерации - это был арсенид галлия, а в сентябре-октябре лазерный эффект получили сразу в трех лабораториях, первой оказалась группа Роберта Холла (24 сентября 1962 г.). И через пять месяцев после публикации Холла была подана заявка на изобретение Алфёрова и Казаринова, от которой ведется отсчет занятиям гетероструктурной микроэлектроникой в Физтехе.
Группа Алфёрова (Дмитрий Третьяков, Дмитрий Гарбузов, Ефим Портной, Владимир Корольков и Вячеслав Андреев) несколько лет билась над поиском подходящего для реализации материала, пытаясь изготовить его самостоятельно, но нашла подходящий сложный трехкомпонентный полупроводник почти случайно: в соседней лаборатории Н. А. Горюновой. Однако это была «неслучайная» случайность - поиск перспективных полупроводниковых соединений Нина Александровна Горюнова вела направленно, а в вышедшей в 1968 г. монографии сформулировала идею «периодической системы полупроводниковых соединений». Полупроводниковое соединение, созданное в ее лаборатории, обладало необходимой для генерации стабильностью, что определило успех «предприятия». Гетеролазер на этом материале был создан в канун 1969 г., а приоритетной датой на уровне обнаружения лазерного эффекта является 13 сентября 1967 г.
Новые материалы
На фоне развернувшейся с начала 60-х годов лазерной гонки почти незаметно возникли светодиоды, которые тоже производили свет заданного спектра, но не обладающий строгой когерентностью лазера. В результате сегодняшняя микроэлектроника включает такие основные функциональные приборы, как транзисторы и их конгломераты - интегральные микросхемы (тысячи транзисторов) и микропроцессоры (от десятков тысяч до десятков миллионов транзисторов), тогда как по сути отдельную ветвь микроэлектроники - оптоэлектронику - составили приборы, построенные на основе гетероструктур по созданию «технического» света - полупроводниковые лазеры и светодиоды. С использованием полупроводниковых лазеров связана новейшая история цифровой записи - от обычных CD-дисков до знаменитой сегодня технологии Blue Ray на нитриде галлия (GaN).
Светодиод, или светоизлучающий диод (СД, СИД, LED - англ. Light-emitting diode ), - полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Излучаемый свет лежит в узком диапазоне спектра, его цветовые характеристики зависят от химического состава использованного в нем полупроводника.
Считается, что первый светодиод, излучающий свет в видимом диапазоне спектра, был изготовлен в 1962 г. в Университете Иллинойса группой, которой руководил Ник Холоньяк. Диоды, сделанные из непрямозонных полупроводников (например, кремния, германия или карбида кремния), свет практически не излучают. Поэтому в ход пошли такие материалы, как GaAs, InP, InAs, InSb, являющиеся прямозонными полупроводниками. В то же время многие полупроводниковые материалы типа А 3 В Е образуют между собой непрерывный ряд твердых растворов - тройных и более сложных (AI x Ga 1- x N и In x Ga 1- x N, GaAs x P 1- x , Ga x In 1- x P, Ga x In 1- x As y P 1- y и т. п.), на основе которых и сформировалось направление гетероструктурной микроэлектроники.
Наиболее известное применение светодиодов сегодня - замена ламп накаливания и дисплеев мобильных телефонов и навигаторов.
Общая идея дальнейшего развития «технического света» - создание новых материалов для светодиодной и лазерной техники. Эта задача неразрывна с проблемой получения материалов с определенными требованиями, предъявляемыми к электронной структуре полупроводника. И главным из этих требований является строение запрещенной зоны полупроводниковой матрицы, используемой для решения той или иной конкретной задачи. Активно ведутся исследования сочетаний материалов, которые позволяют достигать заданных требований к форме и размерам запрещенной зоны.
Составить представление о многосторонности этой работы можно, взглянув на график, по которому можно оценить многообразие «базовых» двойных соединений и возможности их сочетаний в композиционных гетероструктурах.
Принимаем тысячи солнц!
История технического света была бы неполна, если бы наряду с излучателями света не шла разработка его приемников. Если работы группы Алфёрова начались с поисков материала для излучателей, то сегодня один из членов этой группы, ближайший сотрудник Алфёрова и его давний друг профессор В. М. Андреев вплотную занимается работой, связанной с обратным превращением света, причем именно тем превращением, которое используется в солнечных элементах. Идеология гетероструктур как комплекса материалов с заданной шириной запрещенной зоны нашла активное применение и здесь. Дело в том, что солнечный свет состоит из большого количества световых волн различной частоты, в чем как раз и состоит проблема его полного использования, так как материала, который смог бы одинаково преобразовывать свет различной частоты в электрическую энергию, не существует. Получается, что любая кремниевая солнечная батарея преобразует не весь спектр солнечного излучения, а только его часть. Что делать? «Рецепт» обманчиво прост: изготовить слоеный пирог из различных материалов, каждый слой которого реагирует на свою частоту, но в то же время пропускает все остальные частоты без значимого ослабления.
Это дорогая структура, так как в ней должны быть не только переходы различной проводимости, на которые падает свет, но и множество вспомогательных слоев, например, для того чтобы получаемую ЭДС можно было снять для дальнейшего использования. По сути, «сэндвич»-сборка из нескольких электронных приборов. Использование ее оправдано более высоким КПД «сэндвичей», который эффективно использовать вкупе с солнечным концентратором (линзой или зеркалом). Если «сэндвич» позволяет поднять КПД по сравнению с кремниевым элементом, например, в 2 раза-с 17 до 34%, то за счет концентратора, увеличивающего плотность солнечного излучения в 500 раз (500 солнц), можно получить выигрыш в 2 × 500 = 1000 раз! Это выигрыш в площади самого элемента, т. е. материала надо в 1000 раз меньше. Современные концентраторы солнечного излучения измеряют плотность излучения в тысячах и десятках тысяч «солнц», сконцентрированных на одном элементе.
Другой из возможных способов - получение материала, который может работать хотя бы на двух частотах или, точнее, с более широким диапазоном солнечного спектра. В начале 1960-х была показана возможность «мультизонного» фотоэффекта. Это своеобразная ситуация, когда наличие примесей создает полосы в запрещенной зоне полупроводника, что позволяет электронам и дыркам «прыгать через пропасть» в два или даже в три прыжка. В результате можно получить фотоэффект для фотонов с частотой 0,7, 1,8 или 2,6 эВ, что, конечно, значительно расширяет спектр поглощения и увеличивает КПД. Если ученым удастся обеспечить генерацию без существенной рекомбинации носителей на тех же примесных полосах, то КПД таких элементов может достигать 57%.
С начала 2000-х в этом направлении ведутся активные исследования под руководством В. М. Андреева и Ж. И. Алфёрова.
Есть еще интересное направление: поток солнечного света сначала расщепляется на потоки различных диапазонов частот, каждый из которых затем направляется на «свои» ячейки. Такое направление тоже может считаться перспективным, так как при этом исчезает последовательное соединение, неизбежное в «сэндвич»-структурах типа изображенной выше, лимитирующее ток элемента наиболее «слабым» (в это время дня и на данном материале) участком спектра.
Принципиальную важность имеет оценка соотношения солнечной и атомной энергетики, высказанная Ж. И. Алфёровым на одной из недавних конференций: «Если бы на развитие альтернативных источников энергии было затрачено только 15% средств, брошенных на развитие атомной энергетики, то АЭС для производства электроэнергии в СССР вообще не потребовались бы!»
Будущее гетероструктур и новые технологии
Интересна и другая оценка, отражающая точку зрения Жореса Ивановича: в XXI веке гетероструктуры оставят только 1% для использования моноструктур, т. е. вся электроника уйдет от таких «простых» веществ, как кремний с чистотой 99,99–99,999%. Цифры - это чистота кремния, измеряемая в девятках после запятой, но этой чистотой уже лет 40 как никого не удивить. Будущее электроники, полагает Алфёров, - это соединения из элементов A 3 B 5 , их твердых растворов и эпитаксиальных слоев различных сочетаний этих элементов. Конечно, нельзя утверждать, что простые полупроводники типа кремния не могут найти широкого применения, но все же сложные структуры дают значительно более гибкий ответ на запросы современности. Уже сегодня гетероструктуры решают проблему высокой плотности информации для оптических систем связи. Речь идет об OEIC (optoelectronic integrated circuit ) - оптоэлектронной интегральной схеме. Основу любой оптоэлектронной интегральной микросхемы (оптопары, оптрона) составляют инфракрасный излучающий диод и оптически согласованный с ним приемник излучения, что дает простор формальной схемотехнике для широкого использования этих устройств в качестве приемо-передатчиков информации.
Кроме того, ключевой прибор современной оптоэлектроники - ДГС-лазер (ДГС - двойная гетероструктура) - продолжает совершенствоваться и развиваться. Наконец, сегодня именно высокоэффективные быстродействующие светодиоды на гетероструктурах обеспечивают поддержку технологии высокоскоростной передачи данных HSPD (High Speed Packet Data service ).
Но самое главное в выводе Алфёрова не эти разрозненные применения, а общее направление развития техники XXI века - получение материалов и интегральных схем на основе материалов, обладающих точно заданными, рассчитанными на много ходов вперед свойствами. Эти свойства задаются путем конструкторской работы, которая ведется на уровне атомной структуры материала, определяемой поведением носителей заряда в том особом регулярном пространстве, которое представляет собой внутренность кристаллической решетки материала. По сути эта работа - регулирование числа электронов и их квантовых переходов - ювелирная работа на уровне конструирования постоянной кристаллической решетки, составляющей величины нескольких ангстрем (ангстрем - 10 –10 м, 1 нанометр = 10 ангстрем). Но сегодня развитие науки и техники - это уже не тот путь вглубь вещества, каким он представлялся в 60-е годы прошлого века. Сегодня во многом это движение в обратном направлении, в область наноразмеров - например, создание нанообластей со свойствами квантовых точек или квантовых проволок, где квантовые точки линейно связаны.
Естественно, нанообъекты - лишь один из этапов, которые проходят в своем развитии наука и техника, и на нем они не остановятся. Надо сказать, что развитие науки и техники путь далеко не прямолинейный, и если сегодня интересы исследователей сместились в сторону увеличения размеров - в нанообласть, то завтрашние решения будут конкурировать в разных масштабах.
Например, возникшие на кремниевых чипах ограничения по дальнейшему увеличению плотности элементов микросхем можно решить двумя путями. Первый путь - смена полупроводника. Для этого предложен вариант изготовления гибридных микросхем, основанных на применении двух полупроводниковых материалов с различными характеристиками. В качестве наиболее перспективного варианта называется использование нитрида галлия совместно с кремниевой пластиной. С одной стороны, нитрид галлия обладает уникальными электронными свойствами, позволяющими создавать высокоскоростные интегральные микросхемы, с другой - использование кремния как основы делает такую технологию совместимой с современным производственным оборудованием. Однако подход со стороны наноматериалов содержит еще более новаторскую идею электроники одного электрона - одноэлектроники.
Дело в том, что дальнейшую миниатюризацию электроники - размещение тысяч транзисторов на подложке одного микропроцессора - ограничивает пересечение электрических полей при движении потоков электронов в расположенных рядом транзисторах. Идея в том, чтобы вместо потоков электронов использовать один-единственный электрон, который может двигаться в «индивидуальном» временном графике и поэтому не создает «очередей», снижая тем самым напряженность помех.
Если разобраться, то потоки электронов в общем-то и не нужны - для передачи управления можно подать как угодно малый сигнал, проблема заключается в том, чтобы его уверенно выделить (детектировать). И оказывается, что одноэлектронное детектирование технически вполне осуществимо - для этого используется туннельный эффект, который является для каждого электрона индивидуальным событием, в отличие от обычного движения электронов «в общей массе» - ток в полупроводнике является коллективным процессом. С точки зрения электроники туннельный переход - это перенос заряда сквозь конденсатор, поэтому в полевом транзисторе, где конденсатор стоит на входе, одиночный электрон можно «поймать» по частоте колебаний усиливаемого сигнала. Однако выделить этот сигнал в обычных устройствах удавалось только при криогенных температурах - повышение температуры разрушало условия детектирования сигнала. Но температура исчезновения эффекта оказалась обратно пропорциональной площади контакта, и в 2001 г. удалось сделать первый одноэлектронный транзистор на нанотрубке, в котором площадь контакта была так мала, что позволяла работать при комнатных температурах!
В этом отношении одноэлектроника повторяет путь, который прошли исследователи полупроводниковых гетеролазеров - группа Алфёрова билась как раз над тем, чтобы найти материал, который обеспечит эффект лазерной генерации при комнатной температуре, а не при температуре жидкого азота. А вот сверхпроводники, с которыми связаны самые большие надежды по передаче больших потоков электронов (силовых токов), пока не удается «вытащить» из области криогенных температур. Это не только существенно тормозит возможности снижения потерь при передаче энергии на большие расстояния - хорошо известно, что перенаправление потоков энергии по территории России в течение суток приводит к 30%-ным потерям на «нагрев проводов», - отсутствие «комнатных» сверхпроводников ограничивает развитие хранения энергии в сверхпроводящих кольцах, где движение тока может продолжаться практически вечно. Недостижимым пока идеалом создания таких колец служат обычные атомы, где движение электронов вокруг ядра порой устойчиво при самых высоких температурах и может продолжаться неограниченно долго.
Дальнейшие перспективы развития наук о материалах весьма разнообразны. Причем именно с развитием науки о материалах появилась реальная возможность прямого использования солнечной энергии, сулящая огромные перспективы возобновляемой энергетике. Порой именно такие направления работы определяют будущее лицо общества (в Татарии и Чувашии уже планируют «зеленую революцию» и всерьез разрабатывают создание биоэкоградов). Возможно, будущее этого направления состоит в том, чтобы от развития техники материалов шагнуть к пониманию принципов функционирования самой природы, встать на путь использования управляемого фотосинтеза, который может быть распространен в человеческом обществе так же широко, как и в живой природе. Речь уже идет об элементарной ячейке живой природы - клетке, и это следующий, более высокий этап развития после электроники с ее идеологией создания приборов для выполнения какой-то одной функции - транзистора для управления током, светодиода или лазера для управления светом. Идеология клетки - это идеология операторов как элементарных устройств, осуществляющих некий цикл. Клетка служит не изолированным элементом для выполнения какой-то одной функции за счет внешней энергии, но целой фабрикой по переработке доступной внешней энергии в работу поддержания циклов множества различных процессов под единой оболочкой. Работа клетки по поддержанию собственного гомеостазиса и накопления в ней энергии в виде АТФ - захватывающая проблема современной науки. Пока биотехнологи могут лишь мечтать о создании искусственного устройства со свойствами клетки, пригодного для использования в микроэлектронике. И когда это произойдет, несомненно, начнется новая эра микроэлектроники - эра приближения к принципам работы живых организмов, давняя мечта фантастов и давно придуманной науки бионики, все еще не вышедшей из колыбели биофизики.
Будем надеяться, что создание научного центра инноваций в Сколково сумеет реализовать нечто подобное «эффекту спутника» - открыть новые прорывные области, создать новые материалы и технологии электроники.
Пожелаем успеха Жоресу Ивановичу Алфёрову на посту научного руководителя этого нового научно-технологического агломерата. Хочется надеяться, что его энергия и настойчивость будут залогом успеха этого предприятия.
Запрещенная зона - область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле. Характерные значения ширины запрещенной зоны в полупроводниках составляют 0,1–4 эВ. Примеси могут создать полосы в запрещенной зоне - возникает мультизона.
Похоже не я один считаю Алфёрова шарлатаном.
Академик Алферов один из современных чиновников от науки пропагандирующих ненаучные методы.
Наряду с такими деятелями как академик Э. Кругляков и академик Е. Александров господин Алферов «крышует» лженауку в рамках РАН, и в рамках системы образования, оболванивает мракобесием молодое поколение ученых.
В действиях Жореса Алфёрова имеется умысел и состав преступления в форме:
- действия осуществленные группой лиц, по предварительному сговору, направленные на фальсификацию научных данных и сопутствующих сведений, повлекшие к обману широких масс населения, а так же к введению в заблуждение органов государственной власти с целью предоставления адептам лженаучного течения особых преференций и доступа к государственному финансированию.
- умышленные действия, направленные на внедрение в систему образования РФ научно несостоятельных концепций, с причинением Российской Федерации материального ущерба в форме растраты государственных средств на содержание лжеучёных, а так же на обучение студентов и школьников лженаучным гипотезам, за государственный счёт.
Таким образом, действия Жореса Алфёрова подпадают под статью № 285 УК РФ «Злоупотребление должностными полномочиями»:
Использование должностным лицом своих служебных полномочий вопреки интересам службы, если это деяние совершено из корыстной или иной личной заинтересованности и повлекло существенное нарушение прав и законных интересов граждан или организаций, либо охраняемых законом интересов общества или государства.
Кроме озвученных претензий,
в Интернете имеются следующие нелестные мнения об академике Алфёрове:
Одна из самых неоднозначных фигур в Российской Академии наук –вице-президент РАН Жорес Алферов. Всю жизнь он был не ученым-исследователем, а «видным организатором отечественной науки». Этот титул имеет право на уважение, но его не следует путать с выражением «ученый мирового уровня». Это совершенно разные виды деятельности, для которых нужны непохожие таланты. Тем не менее Жорес Алферов говорит от имени корпорации реальных исследователей, якобы защищая их интересы. И поскольку «феномен Алферова» разрастается до масштабов общественного явления, стоит вглядеться в него попристальней.
Многочисленные телевизионные и печатные интервью Алферова публика и воспринимает как голос научной элиты, чему весьма способствует упоминание о Нобелевской премии, приросшее к фамилии академика. Между тем, повращавшись в руководимом им Физико-техническом институте Санкт-Петербурга, нетрудно выяснить, что научный вклад академика в коллективный труд, за который Алферов получил самую престижную международную награду, минимален. Академик был руководителем группы и в этом качестве выступал организатором и администратором работ, которые выполнили Гарбузов, Третьяков (вот кто действительно легенда Физтеха!), Андреев, Казаринов и Портной. Первые три получили государственную премию, последние двое ничего не получили, а академик Алферов поехал в Стокгольм и вписать свое имя в анналы мировой науки .
75-летний Жорес Иванович по возрасту не может возглавлять Физтех. Но власть в институте для него вопрос принципиальный. Физтех получает максимум бюджетного финансирования, и распределение их – подлинный источник влияния Алферова в институте, где его активно не любят, и в РАН, где его сторонятся. Для того, чтобы удержаться у руля, Алферов выстроил сложную структуру из четырех ГУПов, каждый из которых имеет собственное юридическое лицо. Это, во-первых, Физико-технический институт имени Иоффе – самая большая из алферовских организаций, во-вторых, НТЦ Центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур, относительно скромных размеров, в-третьих, свежеотстроенный научно-образовательный комплекс (НОК) на улице Хлопина, 8 и, в-четвертых, физико-технический лицей, который недавно был переведен в здание НОК. Вся эта конструкция, в свою очередь, объединена в подобие «холдинга» с общим ученым советом и президентом. Зовут президента Жорес Алферов.
Президентом Жорес Иванович назначил себя сам, но функции руководителя исполнять ему недосуг. Поговорив с учеными, можно убедиться, что Физтех фактически не управляется. Отделения и лаборатории ведут самостоятельную жизнь, что неплохо с точки зрения свободы творчества и исследовательской инициативно, но абсолютно противопоказано, если государство намерено осуществлять крупные научные проекты с рассчитанным экономическим эффектом. «Норильскому никелю» продали ксероксы работ десятилетней давности, что вызвало праведный гнев металлургов, разорвавших контракт. А когда Минатом заказал для своего центра в Снежинске (РФАЦ ВНИИТФ) технологию выращивания структур для светодиодов, атомщики получили разработку, по которой никакие светодиоды не получаются. Результат был тот же, что и с «Норникелем»: деньги взяли, а полезный эффект нулевой. Выходит, серьезных технологий, пригодных к коммерциализации, у ФТИ нет. Во что же государство вкладывает деньги?
Ответ прост: бюджетные средства перекачивают в карманы коммерсантов от науки. На территории Физтеха действует множество малых фирм, использующих территорию, помещения и оборудования государственного института для коммерческих разработок. Руководят ими сотрудники Физтеха, которые в деятельности своих фирм развивают с выгодой для себя, но без всякой пользы для института те самые направления, которые ведут за государственные деньги. Этот бизнес выгоден и с конкурентной точки зрения. Предприниматели из ФТИ не платят за коммунальные услуги и аренду, не несут никаких расходов на исследования и разработки, не вносят НДС за приобретенное оборудование. Они только торгуют изготовленными опытными образцами, заведомо демпингуя. Что любопытно, самому ФТИ не перепадает от этой торговли ни копейки. Завлабы объясняют, что затраты (бюджетные!) пока превышают прибыли (расходящиеся по карманам), а потому основным поставщиком финансовых ресурсов должно остаться государство. Установить истинные размеры оборота коммерсантов из Физтеха затруднительно – РАН не проверяет деятельность ФТИ, да и странно было бы, если бы вице-президент РАН Жорес Алферов инициировал такую проверку.
Неприличная история с вручением самому себе премии «Глобальная энергия» в 2005 году (премиальный фонд – 1 миллион долларов) заставила отшатнуться от Жореса Алферова президента РАН Юрия Осипова. 25 мая изысканно-учтивым письмом он поставил Алферова в известность о том, что слагает с себя полномочия члена Попечительского совета премии «Глобальная энергия» в связи «с большой загруженностью по работе». Но посвященным понятно, что внезапный рост «загруженности» вызван естественным желанием дать понять научному сообществу, что к решению Алферовского фонда Осипов не причастен. Премия вручена за работы в области солнечной энергетики – в мире известна, например, фамилия Андреева из ФТИ, работающего в этой области. Но никто не слышал о выдающемся вкладе Алферова в солнечную энергетику. Возможно, об этом что-то слышал сын академика Иван Жоресович Алферов, руководящий распределением денег Алферовского фонда. Когда журналисты питерского «Пятого канала» поинтересовались, куда Жорес Иванович денет свой миллион, академик разъяснил, что собирается купить оборудование для своего Научно-образовательного комплекса. Остановимся на этом сюжете немного подробней.
В современное и вместительное здание Научно-образовательного комплекса СПб ФТНОЦ РАН из Физтеха перевозится все лучшее и работоспособное оборудование. Операция по безвозмездной передаче ценного имущества от одного юрлица другому сомнительна с правовой точки зрения, но еще любопытнее, зачем она понадобилась? Похоже, ФТИ им. Иоффе, лишающийся приборной базы, окончательно списывается со счетов и превращается в конгломерат арендаторов. Академический институт такого ранга не будет приватизирован, поэтому невнимание к нему старого завхоза вполне объяснимо с материальной точки зрения. К тому же ко всем секретам института давно получил доступ известный бизнес-хищник Samsung, создавший с ФТИ совместную лабораторию. Сотрудники ФТИ регулярно уезжают на работу в корейский концерн, используя интеллектуальный потенциал и наработки Физтеха на благо «дальневосточного тигра». Так что в плане научных ноу-хау Физтех тоже мало привлекателен. А вот здание НОК вместе со свезенным туда ценным оборудованием вполне может попасть в приватизационные списки Росимущества. В институте так прямо и говорят: «Жорес Иванович готовится к приватизации».
© "Новые известия" (Москва), 30.06.2005
Тернистая дорога
Станислав Куницын
Министр Андрей Фурсенко предлагает отделить недвижимость от науки Сегодня на заседании правительства будет рассмотрен вопрос о повышении эффективности деятельности государственного сектора науки, на котором с докладом выступит министр образования и науки Андрей Фурсенко.
Министр предлагает определить четкие критерии целесообразности проводимых исследований; сократить работающие впустую научные организации, усилив за счет этого финансирование перспективных направлений работы. Кроме того, Минобразования считает нужным поставить под государственный контроль доходы, получаемые руководством РАН от управления недвижимостью.
По числу научных сотрудников Россия занимает первое место в мире. Правда, ни это, ни Нобелевские премии, случающиеся в Российской академии наук, где средняя зарплата сотрудников не превышает 7000 рублей, уже не способны поддерживать престиж российской науки даже в глазах собственных граждан.
Специальное исследование на эту тему недавно провел в 44 крупных городах Фонд "Общественное мнение". Оказалось, что деятельность Академии одобряют всего 40% респондентов. Всего год назад этот показатель был на уровне 61%.
Обоснованность такого пессимизма подтверждает и глобальная статистика. По эффективности инновационной политики наша страна занимает сегодня 69-е место в мире.
В России 70% научных учреждений принадлежат государству. Причем, вопреки расхожему мнению, государственные ассигнования на науку из года в год увеличиваются. В бюджете-2006 на эти цели предусмотрено 71,7 млрд. руб. 2 июня Министерство образования и науки представило в аппарат правительства РФ план модернизации академического сектора науки, который позволил бы использовать ассигнуемые РАН бюджетные средства максимально результативно. В частности, документ содержит предложения по реструктуризации РАН: определить четкие критерии целесообразности проводимых исследований; далее сократить работающие впустую научные организации, усилив за счет этого финансирование перспективных направлений работы. Кроме того, Минобразования считает нужным поставить под государственный контроль доходы, получаемые руководством РАН от управления недвижимостью, предоставленной этому учреждению в бессрочное безвозмездное пользование.
Как ожидали авторы проекта, согласованная с РАН концепция реформы будет предложена вниманию кабинета министров до 1 июля. Однако на деле процесс продвинулся только до стадии прочтения документа академическим начальством и на этом этапе, похоже, притормозил.
Участники состоявшегося в конце мая общего собрания РАН наотрез отказались соглашаться с положениями концепции, усмотрев в предложенных мерах "финансовое удушение с прицелом на приватизацию научных учреждений". Впрочем, отчаянное сопротивление научной верхушки преобразованиям не стало неожиданностью.
Счетная палата РФ еще в 2002 году, проверяя финансы РАН, обнаружила "нецелевые расходы" Академией бюджетных средств в размере 137 млн. руб. за 2000-2001 годы.
Впоследствии Счетная палата приостановила применение положенных на такой случай санкций, приняв во внимание заявление вице-президента РАН академика Геннадия Месяца, обещавшего "урегулировать в правительстве Российской Федерации вопросы, приведшие к нарушению действующих нормативных правовых актов". Формулировка, как видно, невнятная. Однако за подписью влиятельного ученого мужа хватило и такой.
Но помогло ли это? Не похоже. В I квартале прошлого года Академию посетили ревизоры Минимущества, проверившие Агентство по управлению имуществом РАН по согласованию инвестиционных договоров. Проверка проводилась надзорным ведомством в связи со специальным обращением ФСБ России. Как выяснилось, государственной недвижимостью руководство РАН действительно свободно распоряжалось в своих интересах, не имея на то особых прав. Как гласит отчет комиссии, "в ряде инвестиционных договоров предусмотрены положения, нарушающие требования федерального законодательства в части передачи федеральной собственности". Так, например, 28 февраля 2003 года глава Агентства академик Леопольд Леонтьев подписал контракт между ГУП "Издательство "Наука" (подразделение РАН) и ЗАО "Декра Академ Инвест" на строительство офисно-жилого здания на земельном участке, принадлежащем "Науке" в Пожарском переулке. Рыночная стоимость участка и общая сумма инвестиций в контракте не указаны, фигурирует только остаточная балансовая стоимость предназначенных под снос зданий. В ходе проверки учредительных документов выяснилось, что ЗАО "Декра Академ Инвест" было официально зарегистрировано всего за неделю до решения комиссии РАН заключить с ним инвестдоговор. Разумеется, о проведении положенного по закону конкурса среди потенциальных инвесторов в данном случае, как и во многих других, речь даже не идет. Действуя по той же схеме, агентство пустило в оборот стоящие огромных денег участки в самом центре Москвы, заключив инвестиционные договоры между Управлением делами РАН и ОАО "Холдинговая компания Главмосстроя"; Институтом государства и права и Академическим правовым университетом; Институтом Латинской Америки и ООО "КВ-Инжиниринг".
Официальные поступления в бюджет РАН от аренды академической недвижимости составили за прошлый год около 800 млн. руб. Теневые доходы, полученные администрацией Академии только по выявленным в ходе проверки незаконным контрактам, оцениваются специалистами в 4-5 млрд. руб. Что же до действительных масштабов освоения этой золотой жилы, то о них остается лишь догадываться - "авторитетному" примеру РАН сегодня следует большая часть всевозможных государственных научных организаций.
При этом единственным источником средств на продолжение исследований и зарплату персоналу продолжает оставаться госбюджет.
Так что стремление Министерства образования и науки консолидировать все средства, получаемые научными учреждениями в результате использования госимущества, вполне понятно. Согласно проекту реформы, контролем за распределением этих доходов будут заниматься специальные общественные советы.
Что касается РАН, то ей отводится роль экспертной и координирующей организации в области фундаментальной науки. Каждому, как говорится, свое.
© "Профиль", 20.06.2005
Как конкретно распилить "Русский Нобель"
Сергей Лесков
Президент Российской академии наук Юрий Осипов написал заявление, в котором всего одна строчка. Академик Осипов - математик, и эта строчка проста и чеканна, как математическая формула. Президент РАН Юрий Осипов написал уведомление о том, что слагает с себя обязанности председателя Попечительского совета международной премии «Глобальная энергия», которая является самой крупной премией в России.
Идея премии в 2002 году была впервые публично высказана Путиным, которого убедил в ее пропагандистской и практической пользе нобелевский лауреат Жорес Алферов. «Глобальная энергия» была заявлена как «Русский Нобель», чему соответствует и гигантский по российским меркам размер премии - около $1 млн. Премия присуждается за достижения в области энергетики, где Россия, северная и холодная страна, имеет множество несомненных побед.
Учредителями «Глобальной энергии» стали «Газпром», ЮКОС и РАО «ЕЭС России». Премия присуждалась уже трижды. В 2005 году сума ЮКОСа опустела, и почетное право спонсора передоверили верному «Сургутнефтегазу». Первую награду собственноручно вручал президент РФ, второй церемонией он побрезговал, на третью, назначенную на конец июня, по слухам, не явится уже и премьер-министр.
Президент РАН - член Совета безопасности и многих других советов при президенте РФ, на заседаниях правительства сидит за главным столом недалеко от премьера. По нынешним временам трудно припомнить другой случай, чтобы сановник такого ранга добровольно слагал с себя высокие полномочия. Просчитал ли математик Осипов последствия? Сегодня в государственной конюшне чиновники не взбрыкивают, но за это им дозволяется нести. Почему же математик Осипов осмелился нарушить сию аксиому? Потому что ему, председателю Попечительского совета «Глобальной энергии», стыдно за решения комитета. Последнее присуждение переполнило чашу терпения:
В 2005 году премия «Глобальная энергия» присуждена председателю международного комитета премии «Глобальная энергия» академику Жоресу Алферову (вместе с немецким профессором). Такого казуса не знает ни одна премия в мире. За более чем столетнюю историю существования Нобелевской премии ее не получил ни один член Нобелевского комитета. Но в России своя мораль, свои этические нормы - в том числе, как выяснилось, в науке, о чистоте и высоких принципах которой любит рассуждать коммунист Жорес Алферов. Еще одна его излюбленная тема - бедность науки, которую недостаточно поддерживает государство. Но собственный эксперимент Алферова говорит о том, что это ложное утверждение. Просто не все ученые еще научились пользоваться государством.
Впрочем, и прежние присуждения были с подтекстом. Первая премия (вместе с американцем, поддержавшим Алферова при выдвижении на Нобелевскую премию) досталась вице-президенту РАН Геннадию Месяцу, который в то время распоряжался в академии денежными потоками и недвижимостью. Кстати, Месяц еще и член Экспертного совета «Глобальной энергии». Вторая премия ушла к академику Александру Шейндлину, который является почетным директором института, возглавляемого председателем Экспертного совета «Глобальной энергии». В научном сообществе ходят упорные слухи, что самой крупной премией в России делятся, распределяя ее в узком и доверенном кругу. Это по нынешним понятиям называется «распилить»:
Хорошее дело придумали. И очень жалко, что так быстро «Глобальная энергия» испачкалась и измельчала. Но что удивляться? С премией поступили в точности, как с ЮКОСом, одним из ее учредителей. ЮКОС распилили те, кто определял его судьбу. И «Глобальную энергию» ее судьи распилили по тому же алгоритму. Высокий пример заразителен, но безопасен.
Поэтому не должен президент РАН заниматься чистоплюйством. Или он не знает, что говорят умные люди о белой вороне?
Жорес Алферов – живая легенда отечественной науки. Ученый, открытия которого стали основой для создания современных электронных устройств. Наш мир уже невозможно представить без лазеров, полупроводников, светодиодов и оптоволоконных сетей. Все это стало доступно человечеству благодаря изобретениям Жореса Алферова и воспитанных им молодых ученых.
Заслуги российского (в прошлом – советского) физика высоко отмечены во всех уголках Земли и даже в космосе. Астероид (3884) Alferov носит имя лауреата Нобелевской премии, академика РАН и почетного члена международных научных сообществ.
Детство и юность
Детство ученого выпало на тяжелые годы. Мир сильно изменился с тех пор, как в семье коммунистов Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм родился младший сын. Старшего сына родители назвали Марксом (он погиб в последние дни Корсунь-Шевченковской битвы), а младший получил имя в честь Жана Жореса, вождя французских социалистов.
Семья Жореса Алферова: родители и брат
Родившийся 15 марта 1930 года в Витебске ребенок до войны успел исколесить вместе с родителями стройки Сталинграда, Новосибирска, Барнаула и Сясьстроя. Если бы семья Алферовых осталась жить в Белоруссии, то мировая наука могла бы понести огромную утрату, так и не узнав о нем. Национальность Анны Розенблюм стала бы причиной гибели и матери, и сына от рук нацистов.
Годы Второй мировой войны семья жила в Свердловской области, но нормально учиться в школе будущему ученому в это время не довелось. Однако по возвращении в Минск Жорес быстро наверстал упущенное время. Школу закончил с золотой медалью. Сейчас эта школа называется гимназией №42 и носит имя знаменитого ученика.
Учитель физики Яков Борисович Мельцерзон заметил способности юноши и рекомендовал поступать на энергетический факультет Белорусского Политеха. Определившись с кругом научных интересов, Алферов перевелся в ЛЭТИ. В 1952 году начал научную карьеру.
Наука
Выпускник мечтал работать в Физтехе под руководством Абрама Федоровича Иоффе. Физико-технический институт был в послевоенное время легендой. В шутку его именовали «детским садом Иоффе» - именно там росли молодые , и . Там Жорес Иванович стал частью команды, создавшей первые советские транзисторы.
Транзисторы стали темой для кандидатской диссертации молодого ученого. Впоследствии Жорес Иванович переключился на изучение гетероструктур (искусственных кристаллов) и движением в них света и других видов излучения. В его лаборатории работали с лазерами, уже в 1970 году там создали первые в мире солнечные батареи. Ими оснащали спутники, они снабжали электроэнергией орбитальную станцию «Мир».
Занятия прикладной наукой шли параллельно с преподавательской работой. Жорес Иванович писал книги и статьи. Руководил кафедрой оптоэлектроники и лично отбирал студентов. Увлеченные физикой школьники посещали его ежегодные курсы лекций «Физика и жизнь».
Сейчас при Академическом университете, бессменным ректором которого является Жорес Алферов, действует лицей «Физико-техническая школа». Лицей является нижней ступенью научно-образовательного учреждения, в который входит и мощный научно-исследовательский центр. Академик видит в лицеистах будущее российской науки.
«Будущее России - наука и технологии, а не распродажа сырья. И будущее страны не за олигархами, а за кем-то из моих учеников».
Эта цитата из публичного выступления Жореса Ивановича раскрывает веру ученого в победу пытливого разума над желанием обогащения.
Личная жизнь
Возможно, первым научным успехам ученого поспособствовала неудача в личной жизни. Первый брак Жореса Ивановича распался со скандалом. Красавица жена с помощью влиятельных грузинских родственников отсудила у мужа при разводе ленинградскую квартиру. В собственности Алферова остались лишь мотоцикл и раскладушка, на которой он ночевал в лаборатории. Разрыв отношений привел к полной потере отношений отца с дочерью.
Вторично ученый женился только в 1967 году, и этот брак выдержал испытание временем. Вместе с Тамарой Дарской Жорес воспитал ее дочь Ирину и общего сына Ивана. Рождение сына совпало с другим событием в биографии - получением Ленинской премии. Дети давно выросли, Жорес Иванович успел стать дедушкой. У него два внука и внучка.
Последние годы
Авторитет ученого в мировой науке опирается на более 500 научных работ и почти сотню изобретений. Но деятельность Нобелевского лауреата не ограничивалась физикой. Летом 2017 года в стенах Самарского университета академик прочитал открытую лекцию на тему: «Альберт Эйнштейн, социализм и современный мир», где раскрыл вопросы взаимодействия ученых и правителей.
В своих выступлениях ученый называл положение науки в России ужасающим и отстаивал права РАН на самоуправление и достойное финансирование. Ученый считал, что государство должно обеспечивать граждан бесплатной медициной, образованием и жильем, а в противном случае эта структура бесполезна.
Жорес Иванович принимал непосредственное участие в управлении государством. Еще в 1989 году его выбрали народным депутатом СССР от Академии Наук. С тех пор академик постоянно избирался в российскую Думу, активно отстаивая интересы ученых и простых граждан.
В августе 2017 года журнал Форбс включил Жореса Алферова в сотню самых влиятельных россиян последнего столетия. Несмотря на солидный возраст, нобелевский лауреат на видеозаписях и фото выглядел бодрым и уверенным в себе.
Смерть
2 марта 2019 года Жорес Алферов в возрасте 88 лет. Как рассказал журналистам главврач больницы Российской академии наук Олег Чагунава, причиной смерти нобелевского лауреата стала острая сердечно-легочная недостаточность. Накануне Алферов несколько месяцев наблюдался у медиков с жалобой на гипертонию.
Организацию похорон прославленного физика взяла на себя КПРФ.
Награды и достижения
- 1959 - Орден «Знак Почёта»
- 1971 - Медаль Стюарта Баллантайна (США)
- 1972 - Ленинская премия
- 1975 - Орден Трудового Красного Знамени
- 1978 - Хьюллет-Паккардовская премия (Европейское физическое общество)
- 1980 - Орден Октябрьской Революции
- 1984 - Государственная премия СССР
- 1986 - Орден Ленина
- 1987 - Золотая медаль Генриха Велкера (Симпозиум по GaAs)
- 1989 - Премия имени Карпинского (ФРГ)
- 1993 - XLIX Менделеевский чтец
- 1996 - Премия имени А. Ф. Иоффе (РАН)
- 1998 - Почетный доктор СПбГУП
- 1999 - Орден «За заслуги перед Отечеством» III степени
- 1999 - Демидовская премия (Научный Демидовский фонд)
- 1999 - Золотая медаль имени А. С. Попова (РАН)
- 2000 - Нобелевская премия (Швеция)
- 2000 - Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени
- 2000 - Премия Ника Холоньяка (Оптическое общество Америки)
- 2001 - Орден Франциска Скорины (Беларусь)
- 2001 - Премия Киото (Япония)
- 2001 - Премия В. И. Вернадского (Украина)
- 2001 - Премия «Российский Национальный Олимп». Титул «Человек-легенда»
- 2002 - Государственная премия Российской Федерации
- 2002 - Золотая медаль SPIE
- 2002 - Награда «Золотая тарелка» (США)
- 2003 - Орден князя Ярослава Мудрого V степени (Украина)
- 2005 - Орден «За заслуги перед Отечеством» I степени
- 2005 - Международная энергетическая премия «Глобальная энергия»
- 2008 - Звание и медаль Почётного профессора МФТИ
- 2009 - Орден Дружбы народов (Беларусь)
- 2010 - Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени
- 2010 - Медаль «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» от ЮНЕСКО
- 2011 - Звание «Почётный доктор Российско-Армянского (Славянского) университета»
- 2013 - Международная премия Карла Боэра
- 2015 - Орден Александра Невского
- 2015 - Золотая медаль имени Низами Гянджеви (Азербайджан)
- 2015 - Звание «Почётный профессор МИЭТ»
Об утечке мозгов, зле капитализма и положении дел в нашей науке «АиФ» поговорил с академиком Жоресом Алфёровым , единственным ныне здравствующим - из проживающих на родине - российским лауреатом Нобелевской премии по физике.
Поклоняться не успеху, а знаниям
Дмитрий Писаренко, «АиФ»: Жорес Иванович, начну с неожиданного вопроса. Говорят, в этом году украинский сайт «Миротворец» включил вас в список неугодных для въезда на территорию Украины людей? А ведь у вас там брат похоронен.
Жорес Алфёров: Я не слышал об этом, надо будет выяснить. Но это странно… У меня есть фонд, из которого выплачиваются стипендии украинским школьникам села Комаривка Черкасской области. Недалеко, в братской могиле у деревни Хильки, действительно похоронен мой старший брат, который ушёл добровольцем на фронт и погиб во время Корсунь-Шевченковской операции.
Для всей планеты сейчас наступило чёрное время - время фашизма в самых разных формах.
Жорес Алфёров
На Украине я раньше бывал каждый год, являюсь почётным гражданином Хильков и Комаривки. Последний раз приезжал туда в 2013 г. вместе с иностранными учёными. Нас очень тепло приняли. И мой американский коллега, нобелевский лауреат Роджер Корнберг , пообщавшись с местными жителями, воскликнул:
«Жорес, как вас можно было делить? Вы ведь один народ!».
То, что творится на Украине, ужасно. И на самом деле грозит гибелью всему человечеству. Для всей планеты сейчас наступило чёрное время - время фашизма в самых разных формах. На мой взгляд, это происходит потому, что уже нет такого могучего сдерживающего фактора, каким был Советский Союз.
Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Сдерживающего кого?
Жорес Алфёров: - Мировой капитализм. Знаете, я часто вспоминаю беседу с отцом моего старого друга профессора Ника Холоньяка , состоявшуюся в 1971 г., когда я приехал к ним в заброшенный шахтёрский городок возле Сент-Луиса. Он мне сказал:
«В начале ХХ в. мы жили и работали в ужасных условиях. Но после того, как русские рабочие устроили революцию, наши буржуи испугались и изменили свою социальную политику. Так что американские рабочие живут хорошо благодаря Октябрьской революции!».
Из того факта, что Советский Союз рухнул, вовсе не следует, что рыночная экономика эффективнее плановой.
Жорес Алфёров
Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Нет ли здесь злой ухмылки истории? Ведь для нас самих этот грандиозный социальный эксперимент оказался неудачным.
Жорес Алфёров: - Одну секундочку. Да, он неудачно завершился из-за предательства нашей партийной верхушки, но сам-то эксперимент был успешным! Мы создали первое в истории государство социальной справедливости, у нас на практике был реализован этот принцип. В условиях враждебного капиталистического окружения, которое делало всё возможное, чтобы уничтожить нашу страну, когда мы были вынуждены тратиться на вооружения, на разработку той же атомной бомбы, мы вышли на второе место в мире по производству продуктов питания на душу населения!
Знаете, великий физик Альберт Эйнштейн в 1949 г. опубликовал статью «Почему социализм?» В ней он писал, что при капитализме «производство осуществляется в целях прибыли, а не потребления». Частная собственность на средства производства приводит к появлению олигархии, а результаты чужого труда отнимаются по закону, что оборачивается беззаконием. Вывод Эйнштейна: экономика должна быть плановой, а орудия и средства производства - общественными. Самым большим злом капитализма он считал «изувечивание личности», когда в системе образования учащихся вынуждают поклоняться успеху, а не знаниям. Не то же самое происходит и у нас сейчас?
Поймите, из того факта, что Советский Союз рухнул, вовсе не следует, что рыночная экономика эффективнее плановой. Но я вам лучше скажу о том, что знаю хорошо, - о науке. Посмотрите, где она у нас была раньше и где сейчас! Когда мы только начинали делать транзисторы, первый секретарь Ленинградского обкома партии лично приезжал к нам в лабораторию, сидел у нас, спрашивал: что нужно, чего не хватает? Я свои работы по полупроводниковым гетероструктурам, за которые мне потом дали Нобелевскую премию, сделал раньше американцев. Я обогнал их! Я приезжал в Штаты и читал им лекции, а не наоборот. И производство этих электронных компонентов мы начали раньше. Если бы не 90-е годы, айфоны и айпады сейчас выпускали бы у нас, а не в США.
Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - А можем мы ещё начать делать подобные устройства? Или уже поздно, поезд ушёл?
Жорес Алфёров: - Только если мы создадим новые принципы их работы и сможем потом их развить. Американец Джек Килби , получивший Нобелевскую премию в том же году, что и я, заложил принципы кремниевых чипов в конце 1950-х. И они до сих пор остаются теми же. Да, сами методы развились, стали наномасштабными. Число транзисторов на чипе возросло на порядки, и мы уже подошли к их предельному значению. Возникает вопрос: что дальше? Очевидно, что надо идти в третье измерение, создавать объёмные чипы. Тот, кто освоит эту технологию, совершит рывок вперёд и сможет делать электронику будущего.
Сейчас работ уровня Нобелевской премии в области физики у нас просто нет.
Жорес Алфёров
Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Среди нобелевских лауреатов этого года вновь не оказалось россиян. Стоит ли нам посыпать голову пеплом из-за этого? Или пора перестать обращать внимание на решения Нобелевского комитета?
Жорес Алфёров: - Нобелевский комитет нас никогда намеренно не обижал и не обходил стороной. Когда была возможность дать премию нашим физикам, им давали. Среди нобелевских лауреатов так много американцев просто потому, что наука в этой стране щедро финансируется и находится в сфере государственных интересов.
А что у нас? Последняя наша Нобелевская премия по физике была дана за работы, которые делались на Западе. Это исследования графена, проведённые Геймом и Новосёловым в Манчестере. А последняя премия, присуждённая за работы именно в нашей стране, дана Гинзбургу и Абрикосову в 2003 г., но сами эти работы (по сверхпроводимости) датируются 1950-ми годами. Мне дали премию за результаты, полученные в конце 1960-х.
Сейчас работ уровня Нобелевской премии в области физики у нас просто нет. А причина всё та же - невостребованность науки. Будет она востребована - появятся научные школы, а следом - и нобелевские лауреаты. Скажем, много нобелевских лауреатов вышло из фирмы «Белл телефон». Она вкладывала огромные средства в фундаментальные исследования, потому что видела в них перспективы. Отсюда и премии.
Самая главная проблема российской науки, о чём я не устаю говорить - это невостребованность её результатов ни экономикой, ни обществом.
Жорес Алфёров
Где нанотехнологии?
Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - В этом году вокруг выборов президента РАН творилось что-то непонятное. Кандидаты брали самоотвод, выборы переносились с марта на сентябрь. Что это было? Говорят, Кремль навязывал Академии своего кандидата, но он не проходил по уставу, поскольку не являлся академиком?
Жорес Алфёров: - Мне трудно объяснить, почему кандидаты стали отказываться. Наверное, что-то такое действительно было. Видимо, им сказали, что надо отказаться.
Как проходили выборы в советское время? В Академию приезжал товарищ Суслов и говорил: «Мстислав Всеволодович Келдыш написал заявление с просьбой освободить его от обязанностей президента по состоянию здоровья. Вам выбирать, кто займёт эту должность. Но нам кажется, что хорошая кандидатура - Анатолий Петрович Александров . Мы не можем настаивать, мы просто высказываем своё мнение». И мы выбрали Анатолия Петровича, он был замечательным президентом.
Я считаю, что власти следует либо брать решение этого вопроса на себя (и делать так, как было при советской власти), либо отдать его на рассмотрение Академии. А играть в такие игры - худший вариант.
Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Ждёте после избрания нового президента перемен к лучшему?
Жорес Алфёров: - Хотелось бы, но это будет непросто. Мы выбрали вполне разумного президента. Сергеев - хороший физик. Правда, у него небольшой организационный опыт. Но хуже другое - он находится в очень тяжёлых условиях. В результате реформ по Академии уже нанесён ряд ударов.
Самая главная проблема российской науки, о чём я не устаю говорить, - это невостребованность её результатов для экономики и общества. Нужно, чтобы руководство страны наконец обратило внимание на эту проблему.
Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - А как этого добиться? Вот вы в хороших отношениях с президентом Путиным. Он советуется с вами? Может, звонит домой? Бывает такое?
Жорес Алфёров: - Не бывает. (Долго молчит.) Сложный вопрос. Руководство страны должно, с одной стороны, понимать необходимость широкого развития науки и научных исследований. Ведь у нас наука часто совершала рывок прежде всего из-за её военных применений. Когда делали бомбу, нужно было создавать ракеты и электронику. А электроника затем нашла применение в гражданской сфере. Программа индустриализации тоже была широкой.
С другой стороны, власти надо поддерживать в первую очередь те научные направления, которые потянут за собой массу других вещей. Надо определить такие направления и вкладывать в них средства. Это высокотехнологичные отрасли - электроника, нанотехнологии, биотехнологии. Вложения в них будут беспроигрышными. Не будем забывать, что мы сильны программным обеспечением. И кадры ещё остались, не все уехали за границу.
Нужно создавать новую экономику, делать её высокотехнологичной.
Жорес Алфёров
Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Надо ли возвращать учёных, добившихся успеха на Западе, о чём недавно говорил тот же Путин?
Жорес Алфёров: - Считаю, что не надо. Ради чего? Что, мы сами не можем вырастить талантливую молодёжь?
Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Ну как, приезжий получает «мегагрант» правительства, на эти деньги он открывает лабораторию, привлекает молодых специалистов, обучает их…
Жорес Алфёров: - …а потом линяет обратно! Я сам с таким столкнулся. Один обладатель «мегагранта» поработал у меня и слинял. Они ведь всё равно в России не останутся. Если учёный добился успеха где-то в другой стране, он, скорее всего, обзавёлся там семьёй, множеством связей. А если он там ничего не добился, то, спрашивается, зачем он нам тут нужен?
«Мегагранты» правительства нацелены на привлечение в науку людей среднего поколения. Их у нас сейчас действительно очень мало. Но я думаю, мы способны обучить их сами. Несколько моих ребят, окончив аспирантуру и магистратуру, возглавили такие лаборатории. И через пару лет стали этим самым средним поколением исследователей. И никуда уезжать не собираются! Потому что они другие, они тут выросли.
Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Пытаясь оценить достижения современной российской науки, люди часто спрашивают:
«Вот есть „Роснано“. А где пресловутые нанотехнологии?»
Жорес Алфёров: - Когда у нас будет настоящая электронная корпорация, тогда будут и нанотехнологии. Что в них понимает этот буржуй Чубайс , что он умеет? Только приватизировать и извлекать прибыль.
Я вам такой пример приведу. Первые светодиоды в мире появились у нас, в моей лаборатории. И компанию, которая была создана для возрождения производства светодиодов в России, именно Чубайс приватизировал и продал. И это вместо того, чтобы налаживать производство.
Что касается корпораций, им следует совместно с учёными определять нужные направления исследований. И закладывать средства на эти исследования в бюджет.
Жорес Алфёров
Дмитрий Писаренко, «АиФ»: - Новый президент РАН предлагает взимать деньги на науку с сырьевых корпораций. Что думаете об этом?
Жорес Алфёров: - Просто приказывать сверху корпорациям выделять деньги на науку - не лучший путь. Главное - нужно создавать новую экономику, делать её высокотехнологичной. Путин назвал задачей бизнеса создание 25 млн рабочих мест в высокотехнологичном секторе к 2020 г., а я от себя добавлю: это также задачи науки и образования. Необходимо увеличивать бюджетные ассигнования на них.
Что касается корпораций, им следует совместно с учёными определять нужные направления исследований. И закладывать средства на эти исследования в бюджет. В СССР вместо госкорпораций были промышленные министерства. Будучи заинтересованными в наших результатах, они выделяли учёным деньги, когда видели, что из научных исследований может выйти что-то многообещающее для них. Заключали хоздоговора на большие суммы, давали нам своё оборудование. Так что механизм отработан.
Нужно сделать результаты научного труда востребованными. Хотя это и долгий путь.
АЛФЕРОВ, ЖОРЕС ИВАНОВИЧ (р. 1930), русский физик. Родился 15 марта 1930 в Витебске. Его родители, убежденные коммунисты, назвали старшего сына (в возрасте 20 лет он погиб на войне) Марксом, а младшего – Жоресом, в честь основателя французской социалистической партии. Отец был «красным директором» разных военных заводов, семью бросало из города в город. Семилетку Жорес окончил на Сясьстрое (Урал), а в 1945 родители переехали в Минск; здесь в 1948 Алферов окончил 42-ю среднюю школу, где физику преподавал Я.Б.Мельцерзон – «учитель милостью божьей», ухитрившийся в разоренной школе, без физического кабинета, привить ученикам интерес и любовь к своему предмету. По его совету Алферов поступил в Ленинградский электротехнический институт на факультет электронной техники. В 1953 он окончил институт и как один из лучших студентов был принят на работу в Физико-технический институт в лабораторию В.М.Тучкевича. В этом институте Алферов работает и поныне, с 1987 – в качестве директора.
В первой половине 1950-х годов лаборатория Тучкевича начала разрабатывать отечественные полупроводниковые приборы на основе монокристаллов германия. Алферов участвовал в создании первых в СССР транзисторов и силовых германиевых тиристоров, а в 1959 защитил кандидатскую диссертацию, посвященную исследованию германиевых и кремниевых силовых выпрямителей. В те годы была впервые высказана идея использования не гомо-, а гетеропереходов в полупроводниках для создания более эффективных приборов. Однако многие считали работу над гетеропереходными структурами бесперспективной, поскольку к тому времени создание близкого к идеальному перехода и подбор гетеропар казались неразрешимой задачей. Однако на основе так называемых эпитаксиальных методов, позволяющих варьировать параметры полупроводника, Алферову удалось подобрать пару – GaAs и GaAlAs – и создать эффективные гетероструктуры. Он и сейчас любит пошутить на эту тему, говоря, что «нормально – это когда гетеро, а не гомо. Гетеро – это нормальный путь развития природы».
Начиная с 1968 развернулось соревнование ЛФТИ с американскими фирмами Bell Telephone, IBM и RCA – кто первый разработает промышленную технологию создания полупроводников на гетероструктурах. Отечественным ученым удалось буквально на месяц опередить конкурентов; первый непрерывный лазер на гетеропереходах был создан тоже в России, в лаборатории Алферова. Эта же лаборатория по праву гордится разработкой и созданием солнечных батарей, успешно примененных в 1986 на космической станции «Мир»: батареи проработали весь срок эксплуатации до 2001 без заметного снижения мощности.
Технология конструирования полупроводниковых систем достигла такого уровня, что стало возможным задавать кристаллу практически любые параметры: в частности, если расположить запрещенные зоны определенным образом, то электроны проводимости в полупроводниках смогут перемещаться лишь в одной плоскости – получится так называемая «квантовая плоскость». Если расположить запрещенные зоны иначе, то электроны проводимости смогут перемещаться лишь в одном направлении – это «квантовая проволока»; можно и вовсе перекрыть возможности перемещения свободных электронов – получится «квантовая точка». Именно получением и исследованием свойств наноструктур пониженной размерности – квантовых проволок и квантовых точек – занимается сегодня Алферов.
По известной физтеховской традиции Алферов многие годы сочетает научные исследования с преподаванием. С 1973 он заведует базовой кафедрой оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института (ныне Санкт-Петербургский электротехнический университет), с 1988 он – декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного технического университета.
Научный авторитет Алферова чрезвычайно высок. В 1972 он был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979 – ее действительным членом, в 1990 – вице-президентом Российской академии наук и Президентом Санкт-Петербургского научного центра РАН.
Алферов – почетный доктор многих университетов и почетный член многих академий. Награжден Золотой медалью Баллантайна (1971) Франклиновского института (США), Хьюлет-Паккардовской премией Европейского физического общества (1972), медалью Х.Велькера (1987), премией А.П.Карпинского и премией А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Общенациональной неправительственной Демидовской премией РФ (1999), премией Киото за передовые достижения в области электроники (2001).
В 2000 Алферов получил Нобелевскую премию по физике «за достижения в электронике» совместно с американцами Дж.Килби и Г.Крёмером . Крёмер, как и Алферов, получил награду за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов (Алферов и Крёмер получили половину денежной премии), а Килби– за разработку идеологии и технологии создания микрочипов (вторую половину).
- Фридрих шиллер - биография, информация, личная жизнь Фридрих шиллер краткая биография
- Мезомерный эффект, или как рисовать резонансные (граничные) структуры Основные положения координационной теории
- Хмырь, косой и василий алибабаевич
- Моральные знания и практическое поведение личности Практическое поведение личности